Shahe City Jijiu New Materials Co., Ltd

Jing'ao Solar Energy Co., Ltd. befindet sich in Ningjin County, Xingtai City. Gegründet in 2005, mit einem eingetragenen Kapital von 4.033 Milliarden Yuan, ist es hauptsächlich in der Forschung und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von Hochleistungssolarzellen und Komponentenprodukten beschäftigt. Im Februar 7.2007 wurde Jingao Solar an der NASDAQ Stock Exchange in den Vereinigten Staaten notiert. Im September 2018 wurde es aus den USA gestrichen und das Unternehmen von einem ausländischen zu einem inländischen Unternehmen umgestellt. Danach begann es eine neue Reise der inländischen Notierung. Im 2019 ging es erfolgreich durch eine Hintertür-Notierung in China an die Börse. Ab Ende 2019 beschäftigen sich derzeit 3030-Mitarbeiter und 316-Mitarbeiter mit wissenschaftlicher und technologischer Forschung und Entwicklung. Jing'ao Solar hält sich an das kulturelle Konzept "glückliche Arbeit, dankbares Leben", nimmt Sicherheit und Innovation als allgemeine Entwicklungsrichtung, beginnt mit der Verbesserung der Produkteffizienz, konzentriert sich auf die Senkung der Produktionskosten, vertieft kontinuierlich den Aufbau der Unternehmenskultur und verbessert umfassend Jing'aos Kernwettbewerbsfähigkeit und wirtschaftliche Vorteile. Es gehört zur ersten Reihe von Unternehmen, die die vom Ministerium für Industrie und Informationstechnologie der Volksrepublik China herausgegebenen "Normen und Bedingungen der Photovoltaik-Fertigungsindustrie" erfüllen, und ist ein nationales High-Tech-Unternehmen. In 2018 erhielt es Ehrenqualifikationen wie "Intelligente Fertigung Pilot Demonstration (National Level)", "Green Factory (National Level)", "Hebei Province Quality Benefit Enterprise" und "Provincial Safety Culture Construction Demonstration Enterprise". Im 2019 erhielt es Ehrentitel wie "Führendes Unternehmen in der Provinz Hebei", "Hebei Province Foreign Trade Brand Advantage Enterprise" und "Hebei Province Enterprise Standard (Leader)". Im 2019 führte unser Unternehmen mehrere patentierte Technologien von Kristallsilizium mit Gallium und P-Typ Gallium dotierten Silizium Wafern der japanischen Shinyue Group bei der Herstellung von Batteriezellen ein und hat das Recht, diese Patente in mehreren Ländern und Regionen zu verwenden. 1. Die fortschrittliche Natur dieser Technologie führt zur Dämpfung von Kristallsiliziumbatterien aufgrund der Lichtstrahlung. Bei niedrigen Temperaturen ist die Lichtdämpfung von Bor-Sauerstoff-Komplexen der wichtigste anfängliche Lichtdämpfungsmechanismus von bordotierten P-Typ PERC-Batterien. Das heißt, wenn P-Typ Einkristallitterien mit bordotierten Siliziumwafern hergestellt werden, gilt BO-LID als der wichtigste Grund für die anfängliche Lichtdämpfung von Einkristallitterien. Nachdem die kristalline Siliziumbatterie in die Ära von PERC eintrat, wurde der Einfluss von BO-LID weiter aufgedeckt.Die PERC-Batterie verwendete die rückseitige Passivierungstechnologie, um die Absorption von langwelligen einfallenden Photonen zu erhöhen, und die Batterieeffizienz wurde um etwa 1%. Jedoch müssen die photogenerierten Minderheitsträger, die an der Rückseite der Batterie erzeugt werden, einen weiten Weg durchlaufen, bevor sie effektiv durch die vordere P/N-Verbindung getrennt und von der Elektrode gesammelt werden können, so dass die anfängliche Lichtdämpfung der PERC-Batterie auf mehr als 5%. Der effektive Weg, BO-LID zu reduzieren, besteht darin, den Sauerstoffgehalt und den Borgehalt zu reduzieren. Die Verringerung des Sauerstoffgehalts erhöht die Herstellungskosten, und die Verringerung des Borgehalts wirkt sich auf die Effizienz von Batteriezellen aus. Eine ausgereifte Technologie ist die Verwendung galliumdotierter Siliziumwafer, die Bordotierung ersetzen und das Problem des Borsauerstoffverbunds vollständig lösen. Neben BO-LID haben galliumdotierte Siliziumwafer auch eine gewisse hemmende Wirkung auf LeTID bei hohen Temperaturen. 2.Durch die Optimierung des Widerstands von galliumdotierten Wafern und des Batterieprozesses kann die Effizienz von galliumdotierten Wafern in der Batterie unseres Unternehmens 23%, erreichen, die mehr als 0,1% höher ist als die von bordotierten Wafern. Dies bringt jährliche Vorteile von über 10 Millionen für das Unternehmen, und die Dämpfung von galliumdotierten Wafern ist 65% niedriger als die von bordotierten Wafern und erfüllt den Standard des Kunden, die 2% Dämpfung im ersten Jahr nicht überschreiten